陈志权科学研究

发布网友 发布时间：2024-10-24 12:57

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热心网友 时间：2024-11-06 16:21

陈志权先生在科学研究领域，参与及主持了多个重要项目，致力于半导体与高分子固体电解质的微观结构与机理的研究。以下是他所参与及主持的科研项目：

1. 陈志权作为参与者，针对Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究，成功获得国家自然科学基金支持。项目顺利结题，总经费为9.5万元。

2. 在研究高分子固体电解质的微观结构及导电机理中，陈志权再次以参与者身份，利用正电子谱学技术，深入探讨了高分子固体电解质的微观特性。项目同样顺利结题，总经费亦为9.5万元。

3. 作为主持人，陈志权主持了利用慢正电子技术研究半导体表面界面缺陷的项目，该项目获得了湖北省自然科学基金的支持，总经费为2.0万元，并成功结题。

4. 在研究重掺杂半导体载流子饱和的微观机制中，陈志权以主持人身份，通过正电子湮没实验，探索了重掺杂半导体的微观现象。该项目由武汉大学自强基金提供经费，总额为3.0万元，并顺利结题。

5. 教育部青年骨干教师基金支持下，陈志权主持了半导体缺陷的正电子谱学研究，旨在深入理解半导体缺陷的性质。项目总经费为12万元，并已成功结题。

6. 陈志权主持的沸石中半导体纳米团簇材料的正电子研究，旨在揭示半导体纳米团簇在沸石中的性质和作用。该项目获得了国家自然科学基金的资助，总经费为20万元，并成功结题。

7. 在具有高慢化效率和寿命测量功能的新型正电子束研究中，陈志权作为参与者，该项目目前正处于进行阶段，由国家自然科学基金提供40万元的资助。

陈志权武，博士、武汉大学物理科学与技术学院教授。研究方向半导体材料微结构，正电子湮没谱学。自1993年以来，共发表论文60余篇，其中第一作者SCI论文27篇。